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长鑫DRAM内存芯片投产 总投资约1500亿

2019-11-17 18:56:46
长鑫DRAM内存芯片投产 总投资约1500亿   9月20日,长鑫存储技术有限公司在大会上宣布:总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目正式投产,其与国际主流动态随机存取存储芯片(DRAM)同步的10纳米级第一代8Gb DDR4在大会上首度亮相,一期设计产能达每月12万片晶圆,首批芯片今年底将会送到客户手中 。
  DRAM是最常见的系统内存,被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”,广泛用于PC、手机、服务器等领域,是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。中国是该芯片最大的应用市场,自主产能却匮乏,韩国三星、海力士、美国美光垄断了该产业95%的产能。  据微信公号“合肥发布”介绍,长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目,2016年由合肥市产业投资(控股)集团有限公司和北京兆易创新科技股份有限公司合作投资,是中国大陆唯一拥有完整技术、工艺和生产运营团队的DRAM项目,也是安徽省单体投资最大的工业项目,以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标。  当时长鑫存储项目与长江存储和福建晋华并称为中国存储产业的三大探路者,备受业界瞩目。目前,该项目已通过层层评审,并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。  中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示,长鑫存储正式投产标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。  长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官朱一明透露,长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品,另一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。  另外据中国电子报报道,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱在日前举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上的介绍,合肥长鑫基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。  有分析称,长鑫存储填补了国内DRAM的空白,有望突破韩国、美国企业在国际市场的垄断地位。  此外,全球半导体联盟GSA日前宣布,合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明将成为联盟董事会成员。全球半导体联盟在全球拥有来自超过25个国家和地区的250多家企业会员,代表着产值4500亿美元的半导体产业中70%的力量,涵盖了从初创公司到行业巨头的公共和私营企业,其中100家为上市公司。  此前,中芯国际联席首席执行官赵海军是董事会内唯一代表中国大陆半导体企业的成员,这次朱一明的加入代表着国产储存正式迈进高端玩家俱乐部,使得国产半导体在国际舞台中再多了一份话语权。生物谷药业
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